Name: SPD50P03LGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD50P03LGBTMA1TR-ND
Price: 3.984 EUR
Availability: InStock

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SPD50P03LGBTMA1
Numéro de produit DigiKey	SPD50P03LGBTMA1TR-ND - Bande et bobine SPD50P03LGBTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) SPD50P03LGBTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	SPD50P03LGBTMA1
Description	MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	48 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 50 A (Tc) 150W (Tc) Montage en surface PG-TO252-5
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SPD50P03LGBTMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 126 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6880 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 150W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal P	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 50 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO252-5
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-252-5, DPAK (4 sorties + languette), TO-252AD
Rds On (max.) à Id, Vgs 7mohms à 50A, 10V	Numéro de produit de base SPD50P03
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA