Name: SPB80P06PGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB80P06PGATMA1TR-ND
Price: 4.884 EUR
Availability: OutOfStock

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SPB80P06PGATMA1
Numéro de produit DigiKey	SPB80P06PGATMA1TR-ND - Bande et bobine SPB80P06PGATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) SPB80P06PGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	SPB80P06PGATMA1
Description	MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 80 A (Tc) 340W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SPB80P06PGATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 173 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série SIPMOS®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5033 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 340W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal P	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 80 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO263-3-2
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 23mohms à 64A, 10V	Numéro de produit de base SPB80P06
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 5,5mA