Name: ISS55EP06LMXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISS55EP06LMXTSA1TR-ND
Price: 0.252 EUR
Availability: InStock

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ISS55EP06LMXTSA1
Numéro de produit DigiKey	448-ISS55EP06LMXTSA1TR-ND - Bande et bobine 448-ISS55EP06LMXTSA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-ISS55EP06LMXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	ISS55EP06LMXTSA1
Description	MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 180mA (Ta) 400mW (Ta) Montage en surface PG-SOT23-3-5
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	ISS55EP06LMXTSA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	180mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	5,5ohms à 180mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 11µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	0.59 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	18 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	400mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-SOT23-3-5
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	ISS55EP06

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Date de dernière disponibilité : 31/12/2025

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