Name: ISP75DP06LMXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISP75DP06LMXTSA1TR-ND
Price: 0.648 EUR
Availability: InStock

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ISP75DP06LMXTSA1
Numéro de produit DigiKey	448-ISP75DP06LMXTSA1TR-ND - Bande et bobine 448-ISP75DP06LMXTSA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-ISP75DP06LMXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	ISP75DP06LMXTSA1
Description	MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT223-4
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 1,1 A (Ta) 1,8W (Ta), 4,2W (Tc) Montage en surface PG-SOT223-4
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	ISP75DP06LMXTSA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,1 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	750mohms à 1,1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 77µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	4 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	120 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,8W (Ta), 4,2W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-SOT223-4
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base	ISP75D

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