Name: ISC028N04NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC028N04NM5ATMA1TR-ND
Price: 1.956 EUR
Availability: InStock

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ISC028N04NM5ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-ISC028N04NM5ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-ISC028N04NM5ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-ISC028N04NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	ISC028N04NM5ATMA1
Description	40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 24A (Ta), 121A (Tc) 3W (Ta), 75W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8 FL
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	ISC028N04NM5ATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,4V à 30µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 38 nC @ 10 V
Série OptiMOS™ 5	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2700 pF @ 20 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 75W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8 FL
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 24A (Ta), 121A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7V, 10V	Numéro de produit de base ISC028N
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,8mohms à 50A, 10V