Name: IRLH5030TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLH5030TRPBFTR-ND
Price: 3.156 EUR
Availability: InStock

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IRLH5030TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRLH5030TRPBFTR-ND - Bande et bobine IRLH5030TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRLH5030TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRLH5030TRPBF
Description	MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 13 A (Ta), 100 A (Tc) 3,6W (Ta), 156W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRLH5030TRPBF Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	13 A (Ta), 100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	9mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 150µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	94 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5185 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,6W (Ta), 156W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-PQFN (5x6)
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	IRLH5030

Prix unitaire sans TVA:	2,63000 €
Prix unitaire avec TVA:	3,15600 €

IRLH5030TRPBF