Name: IRLB8314PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRLB8314PBF-ND
Price: 1.596 EUR
Availability: InStock

IRLB8314PBF
Numéro de produit DigiKey	448-IRLB8314PBF-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRLB8314PBF
Description	MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 171 A (Tc) 125W (Tc) Trou traversant TO-220-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRLB8314PBF Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	171 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,4mohms à 68A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,2V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	60 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5050 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220-3
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	IRLB8314

Prix unitaire sans TVA:	1,33000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,59600 €

IRLB8314PBF