IRL6372TRPBF est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Similaire


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
En stock: 24 416
Prix unitaire : 1,18000 €
Fiche technique

Similaire


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
En stock: 9 516
Prix unitaire : 0,96000 €
Fiche technique

Similaire


Diodes Incorporated
En stock: 0
Prix unitaire : 0,81000 €
Fiche technique

Similaire


Diodes Incorporated
En stock: 805
Prix unitaire : 0,94000 €
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 10 696
Prix unitaire : 0,96000 €
Fiche technique

Similaire


Panjit International Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : 0,14952 €
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 40 440
Prix unitaire : 1,26000 €
Fiche technique

Similaire


Vishay Siliconix
En stock: 507
Prix unitaire : 1,16000 €
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 3 411
Prix unitaire : 1,59000 €
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 4 000
Prix unitaire : 1,95000 €
Fiche technique
MOSFET - Matrices 30V 8,1A 2W Montage en surface 8-SO
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRL6372TRPBF

Numéro de produit DigiKey
IRL6372TRPBFTR-ND - Bande et bobine
IRL6372TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT)
IRL6372TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IRL6372TRPBF
Description
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 30V 8,1A 2W Montage en surface 8-SO
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRL6372TRPBF Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Obsolète
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)
Fonction FET
Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
8,1A
Rds On (max.) à Id, Vgs
17,9mohms à 8,1A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
1,1V à 10µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
11nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1020pF à 25V
Puissance - Max.
2W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur
8-SO
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution ou Types de conditionnement alternatifs.