Name: IRFH8324TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH8324TRPBFTR-ND
Price: 1.224 EUR
Availability: InStock

IRFH8324TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRFH8324TRPBFTR-ND - Bande et bobine IRFH8324TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRFH8324TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFH8324TRPBF
Description	MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 23 A (Ta), 90 A (Tc) 3,6W (Ta), 54W (Tc) Montage en surface PQFN (5x6)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFH8324TRPBF Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	23 A (Ta), 90 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,1mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,35V à 50µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2380 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,6W (Ta), 54W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PQFN (5x6)
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	IRFH8324

Prix unitaire sans TVA:	1,02000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,22400 €

IRFH8324TRPBF