Name: IRF9Z34NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF9Z34NSTRLPBFTR-ND
Price: 1.908 EUR
Availability: InStock

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IRF9Z34NSTRLPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF9Z34NSTRLPBFTR-ND - Bande et bobine IRF9Z34NSTRLPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF9Z34NSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF9Z34NSTRLPBF
Description	MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 55 V 19 A (Tc) 3,8W (Ta), 68W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF9Z34NSTRLPBF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	55 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	19 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	100mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	620 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,8W (Ta), 68W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	D2PAK
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	IRF9Z34

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