Name: IRF7820TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7820TRPBFTR-ND
Price: 1.632 EUR
Availability: InStock

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IRF7820TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF7820TRPBFTR-ND - Bande et bobine IRF7820TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF7820TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF7820TRPBF
Description	MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 3,7 A (Ta) 2,5W (Ta) Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF7820TRPBF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,7 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	78mohms à 2,2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1750 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SOIC
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Numéro de produit de base	IRF7820