Name: IRF7205TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7205PBFTR-ND
Price: 0.66 EUR
Availability: InStock

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IRF7205TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF7205PBFTR-ND - Bande et bobine IRF7205PBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF7205PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF7205TRPBF
Description	MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 4,6 A (Ta) 2,5W (Tc) Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF7205TRPBF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	70mohms à 4,6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	870 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SO
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Numéro de produit de base	IRF7205