Name: IRF7103TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7103PBFTR-ND
Price: 1.152 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRF7103TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF7103PBFTR-ND - Bande et bobine IRF7103PBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF7103PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF7103TRPBF
Description	MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 50V 3A 2W Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF7103TRPBF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	50V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3A
Rds On (max.) à Id, Vgs	130mohms à 3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	30nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	290pF à 25V
Puissance - Max.	2W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SO
Numéro de produit de base	IRF71