Name: IRF7306TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7306PBFTR-ND
Price: 1.56 EUR
Availability: InStock

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IRF7306TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF7306PBFTR-ND - Bande et bobine IRF7306PBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF7306PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF7306TRPBF
Description	MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	25 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 3,6A 2W Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF7306TRPBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 100mohms à 1,8A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Série HEXFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 25nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 440pF à 25V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 2W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux P (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier fournisseur 8-SO
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,6A	Numéro de produit de base IRF73

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

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