Name: ZXMN2A04DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN2A04DN8TR-ND
Price: 3 EUR
Availability: InStock

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ZXMN2A04DN8TA
Numéro de produit DigiKey	ZXMN2A04DN8TR-ND - Bande et bobine ZXMN2A04DN8CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	ZXMN2A04DN8TA
Description	MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 5,9A 1,8W Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 700mV à 250µA (min)
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 22,1nC à 5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1880pF à 10V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 1,8W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss) 20V	Boîtier fournisseur 8-SO
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,9A	Numéro de produit de base ZXMN2
Rds On (max.) à Id, Vgs 25mohms à 5,9A, 4,5V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT)

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	2,50000 €
Prix unitaire avec TVA:	3,00000 €

ZXMN2A04DN8TA