Name: IPM018N10NM5LF2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1TR-ND
Price: 8.4 EUR
Availability: OutOfStock

Nouveau produit

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IPM018N10NM5LF2AUMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPM018N10NM5LF2AUMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPM018N10NM5LF2AUMA1
Description	IPM018N10NM5LF2AUMA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 30A (Ta), 285A (Tc) 3,8W (Ta), 349W (Tc) Montage en surface PG-HSOG-4-1
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 5
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	30A (Ta), 285A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V, 15V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,7mohms à 100A, 15V
Vgs(th) (max.) à Id	3,45V à 240µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	178 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	14000 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,8W (Ta), 349W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-HSOG-4-1
Boîtier	4-PowerSFN