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Infineon Technologies
En stock: 8 303
Prix unitaire : 1,37930 €
Fiche technique

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STMicroelectronics
En stock: 2 406
Prix unitaire : 2,18000 €
Fiche technique
Canal N 40 V 90 A (Tc) 115W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
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IPD90N04S3H4ATMA1

Numéro de produit DigiKey
IPD90N04S3H4ATMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPD90N04S3H4ATMA1
Description
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 40 V 90 A (Tc) 115W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
60 nC @ 10 V
Fabricant
Vgs (max.)
±20V
Série
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3900 pF @ 25 V
Conditionnement
Bande et bobine
Dissipation de puissance (max.)
115W (Tc)
Statut du composant
Pas pour les nouvelles conceptions
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET
Grade
Automobile
Technologies
Qualification
AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss)
40 V
Type de montage
Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
PG-TO252-3-11
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
4,3mohms à 90A, 10V
Numéro de produit de base
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 65µA
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (2)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
IPD90N04S3H4ATMA1Infineon Technologies8 303IPD90N04S3H4ATMA1TR-ND1,37930 €Équivalent paramétrique
STD95N4LF3STMicroelectronics2 406497-8776-1-ND2,18000 €Similaire
Disponible sur commande
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Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 5000,95837 €2 395,93 €
5 0000,90112 €4 505,60 €
7 5000,87198 €6 539,85 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,95837 €
Prix unitaire avec TVA:1,15004 €

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