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En stock: 78 069
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Prix unitaire : 1,78000 €
Fiche technique
Canal N 40 V 50 A (Tc) 63W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
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IPD50N04S309ATMA1

Numéro de produit DigiKey
IPD50N04S309ATMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPD50N04S309ATMA1
Description
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 40 V 50 A (Tc) 63W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
26 nC @ 10 V
Fabricant
Vgs (max.)
±20V
Série
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1750 pF @ 25 V
Conditionnement
Bande et bobine
Dissipation de puissance (max.)
63W (Tc)
Statut du composant
Pas pour les nouvelles conceptions
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET
Grade
Automobile
Technologies
Qualification
AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss)
40 V
Type de montage
Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
PG-TO252-3-11
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
9mohms à 50A, 10V
Numéro de produit de base
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 28µA
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (5)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
IPD50N04S309ATMA1Infineon Technologies78 069IPD50N04S309ATMA1TR-ND0,80741 €Équivalent paramétrique
FDD8445onsemi242FDD8445CT-ND1,12000 €Similaire
STD64N4F6AGSTMicroelectronics704497-16304-1-ND1,33000 €Similaire
STD95N4LF3STMicroelectronics3 406497-8776-1-ND2,17000 €Similaire
TK35S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and Storage2 000264-TK35S04K3L(T6L1,NQCT-ND1,78000 €Similaire
Disponible sur commande
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Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 5000,58532 €1 463,30 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,58532 €
Prix unitaire avec TVA:0,70238 €

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