Équivalent paramétrique
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IPD50N04S309ATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPD50N04S309ATMA1TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPD50N04S309ATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 40 V 50 A (Tc) 63W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 26 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1750 pF @ 25 V |
Conditionnement Bande et bobine | Dissipation de puissance (max.) 63W (Tc) |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 40 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur PG-TO252-3-11 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 9mohms à 50A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 28µA |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD50N04S309ATMA1 | Infineon Technologies | 78 069 | IPD50N04S309ATMA1TR-ND | 0,80741 € | Équivalent paramétrique |
| FDD8445 | onsemi | 242 | FDD8445CT-ND | 1,12000 € | Similaire |
| STD64N4F6AG | STMicroelectronics | 704 | 497-16304-1-ND | 1,33000 € | Similaire |
| STD95N4LF3 | STMicroelectronics | 3 406 | 497-8776-1-ND | 2,17000 € | Similaire |
| TK35S04K3L(T6L1,NQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 2 000 | 264-TK35S04K3L(T6L1,NQCT-ND | 1,78000 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,58532 € | 1 463,30 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,58532 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,70238 € |





