IPB60R380P6ATMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Infineon Technologies
En stock: 2 340
Prix unitaire : 1,81000 €
Fiche technique
PG-TO263-3
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PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB60R380P6ATMA1

Numéro de produit DigiKey
IPB60R380P6ATMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPB60R380P6ATMA1
Description
MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 10,6 A (Tc) 83W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
380mohms à 3,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 320µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
877 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
83W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-TO263-3
Boîtier
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

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Obsolète
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