IPB100N08S2L07ATMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IPB100N08S2L07ATMA1

Numéro de produit DigiKey
IPB100N08S2L07ATMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPB100N08S2L07ATMA1
Description
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 75 V 100 A (Tc) 300W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
246 nC @ 10 V
Fabricant
Vgs (max.)
±20V
Série
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
5400 pF @ 25 V
Conditionnement
Bande et bobine
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Statut du composant
Obsolète
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET
Grade
Automobile
Technologies
Qualification
AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss)
75 V
Type de montage
Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
PG-TO263-3-2
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
6,5mohms à 80A, 10V
Numéro de produit de base
Vgs(th) (max.) à Id
2V à 250µA
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (6)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
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Obsolète
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