PSMN5R0-80BS,118 Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET simples

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PSMN5R0-80BS,118
Numéro de produit DigiKey	1727-PSMN5R0-80BS,118TR-ND - Bande et bobine 1727-PSMN5R0-80BS,118CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	PSMN5R0-80BS,118
Description	MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 100 A (Tc) 270W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Fabricant Nexperia USA Inc.	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 101 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Obsolète	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6793 pF @ 40 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 270W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100 A (Tc)	Boîtier fournisseur D2PAK
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 5,1mohms à 25A, 10V	Numéro de produit de base PSMN5R0

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (6)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FDB060AN08A0	onsemi	2 417	FDB060AN08A0CT-ND	4,31000 €	Similaire
IPB054N08N3GATMA1	Infineon Technologies	985	IPB054N08N3GATMA1CT-ND	2,47000 €	Similaire
IPB100N08S207ATMA1	Infineon Technologies	7 012	IPB100N08S207ATMA1TR-ND	2,20974 €	Similaire
IPB100N08S2L07ATMA1	Infineon Technologies	425	IPB100N08S2L07ATMA1TR-ND	2,32018 €	Similaire
IXTA170N075T2	IXYS	0	IXTA170N075T2-ND	2,28590 €	Similaire

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Bande coupée (CT)

Bande et bobine

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Prix unitaire sans TVA:	3,33000 €
Prix unitaire avec TVA:	3,99600 €

PSMN5R0-80BS,118