Canal N 650 V 35 A (Tc) 133W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-41
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IMW65R057M1HXKSA1

Numéro de produit DigiKey
448-IMW65R057M1HXKSA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IMW65R057M1HXKSA1
Description
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 35 A (Tc) 133W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-41
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IMW65R057M1HXKSA1 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
5,7V à 5mA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
28 nC @ 18 V
Série
Vgs (max.)
+20V, -2V
Conditionnement
Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
930 pF @ 400 V
Statut du composant
Pas pour les nouvelles conceptions
Dissipation de puissance (max.)
133W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Trou traversant
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Boîtier fournisseur
PG-TO247-3-41
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
74mohms à 16,7A, 18V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 3
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Non recommandé pour une nouvelle conception, des quantités minimum peuvent s'appliquer.
Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
19,08000 €9,08 €
305,29700 €158,91 €
1204,46625 €535,95 €
5103,85769 €1 967,42 €
1 0203,63576 €3 708,48 €
2 0103,45297 €6 940,47 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:9,08000 €
Prix unitaire avec TVA:10,89600 €