Name: IGK080B041SXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGK080B041SXTSA1TR-ND
Price: 0.42115 EUR
Availability: OutOfStock

Nouveaux produits chez DigiKey

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IGK080B041SXTSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IGK080B041SXTSA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IGK080B041SXTSA1
Description	MV GAN DISCRETES
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	40 V 35 A (Tc) 1,6W (Ta), 21W (Tc) Montage en surface SG-UFWLB-16-2
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolGaN™
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	-
Technologies	GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	35 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	8mohms à 5A, 5V
Vgs(th) (max.) à Id	2,9V à 3mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	5.3 nC @ 5 V
Vgs (max.)	+6V, -40V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	370 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,6W (Ta), 21W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 125°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SG-UFWLB-16-2
Boîtier	16-UFBGA, WLBGA

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Bande et bobine