Name: IAUZ30N08S5N186ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZ30N08S5N186ATMA1TR-ND
Price: 1.404 EUR
Availability: InStock

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IAUZ30N08S5N186ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUZ30N08S5N186ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUZ30N08S5N186ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUZ30N08S5N186ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUZ30N08S5N186ATMA1
Description	MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 30 A (Tj) 41W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8-32
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUZ30N08S5N186ATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Category Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 13µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12.1 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 759 pF @ 40 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 41W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30 A (Tj)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8-32
Rds On (max.) à Id, Vgs 18,6mohms à 15A, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN