Name: IAUC41N06S5N102ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC41N06S5N102ATMA1TR-ND
Price: 1.464 EUR
Availability: InStock

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IAUC41N06S5N102ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUC41N06S5N102ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUC41N06S5N102ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUC41N06S5N102ATMA1
Description	MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 47A (Tj) 42W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-33
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUC41N06S5N102ATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,4V à 13µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 16.3 nC @ 10 V
Série OptiMOS™ 5	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1112.1 pF @ 30 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 42W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 47A (Tj)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7V, 10V	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-33
Rds On (max.) à Id, Vgs 10,2mohms à 20A, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN