Name: BSZ110N08NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ110N08NS5ATMA1TR-ND
Price: 1.716 EUR
Availability: InStock

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BSZ110N08NS5ATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSZ110N08NS5ATMA1TR-ND - Bande et bobine BSZ110N08NS5ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSZ110N08NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSZ110N08NS5ATMA1
Description	MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 40 A (Tc) 50W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8-FL
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSZ110N08NS5ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	11mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,8V à 22µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	18.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1300 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	50W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TSDSON-8-FL
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	BSZ110