Name: BSZ028N04LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ028N04LSATMA1TR-ND
Price: 1.632 EUR
Availability: InStock

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BSZ028N04LSATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-BSZ028N04LSATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-BSZ028N04LSATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-BSZ028N04LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSZ028N04LSATMA1
Description	MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 21 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 63W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8-FL
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSZ028N04LSATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 2,8mohms à 20A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 32 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2300 pF @ 20 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,1W (Ta), 63W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8-FL
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 21 A (Ta), 40 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base BSZ028