Name: BSZ018NE2LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ018NE2LSATMA1TR-ND
Price: 2.076 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

BSZ018NE2LSATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSZ018NE2LSATMA1TR-ND - Bande et bobine BSZ018NE2LSATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSZ018NE2LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSZ018NE2LSATMA1
Description	MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 25 V 23 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8-FL
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSZ018NE2LSATMA1 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 39 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2800 pF @ 12 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,1W (Ta), 69W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 25 V	Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8-FL
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 23 A (Ta), 40 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base BSZ018
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,8mohms à 30A, 10V