Name: BSC252N10NSFGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC252N10NSFGATMA1TR-ND
Price: 1.752 EUR
Availability: InStock

BSC252N10NSFGATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSC252N10NSFGATMA1TR-ND - Bande et bobine BSC252N10NSFGATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSC252N10NSFGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSC252N10NSFGATMA1
Description	MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 7,2 A (Ta), 40 A (Tc) 78W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSC252N10NSFGATMA1 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7,2 A (Ta), 40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	25,2mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 43µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1100 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	78W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TDSON-8-1
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	BSC252

Quantité	Prix unitaire	Prix total
5 000	0,37481 €	1 874,05 €
10 000	0,36231 €	3 623,10 €

Prix unitaire sans TVA:	1,46000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,75200 €

BSC252N10NSFGATMA1