Name: BSC105N15LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC105N15LS5ATMA1TR-ND
Price: 3.804 EUR
Availability: InStock

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BSC105N15LS5ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-BSC105N15LS5ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-BSC105N15LS5ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-BSC105N15LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSC105N15LS5ATMA1
Description	TRENCH >=100V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 10,7A (Ta), 76A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 10,5mohms à 40A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 2,3V à 91µA
Série OptiMOS™ 5	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 23 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3000 pF @ 75 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 125W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 150 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10,7A (Ta), 76A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN

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