Name: BSC100N06LS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC100N06LS3GATMA1TR-ND
Price: 1.74 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

BSC100N06LS3GATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSC100N06LS3GATMA1TR-ND - Bande et bobine BSC100N06LS3GATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSC100N06LS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSC100N06LS3GATMA1
Description	MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 12 A (Ta), 50 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-5
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSC100N06LS3GATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12 A (Ta), 50 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	10mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,2V à 23µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3500 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TDSON-8-5
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	BSC100