BSC100N03MSGATMA1 Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

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BSC100N03MSGATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSC100N03MSGATMA1TR-ND - Bande et bobine BSC100N03MSGATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSC100N03MSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSC100N03MSGATMA1
Description	MOSFET N-CH 30V 12A/44A TDSON
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 12 A (Ta), 44 A (Tc) 2,5W (Ta), 30W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-5
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSC100N03MSGATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12 A (Ta), 44 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	10mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1700 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta), 30W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TDSON-8-5
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	BSC100