Name: BSC026NE2LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC026NE2LS5ATMA1TR-ND
Price: 2.028 EUR
Availability: OutOfStock

BSC026NE2LS5ATMA1 est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.

Substituts disponibles:

Similaire

Texas Instruments

En stock: 13 776

Prix unitaire : 2,33000 €

Similaire

Texas Instruments

En stock: 2 582

Prix unitaire : 2,66000 €

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

BSC026NE2LS5ATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSC026NE2LS5ATMA1TR-ND - Bande et bobine BSC026NE2LS5ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSC026NE2LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSC026NE2LS5ATMA1
Description	MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 25 V 24 A (Ta), 82 A (Tc) 2,5W (Ta), 29W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-7
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSC026NE2LS5ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 16 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±16V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1100 pF @ 12 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 29W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 25 V	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-7
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 24 A (Ta), 82 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base BSC026
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,6mohms à 30A, 10V