Name: BSC014NE2LSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC014NE2LSIATMA1TR-ND
Price: 1.824 EUR
Availability: InStock

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BSC014NE2LSIATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSC014NE2LSIATMA1TR-ND - Bande et bobine BSC014NE2LSIATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSC014NE2LSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSC014NE2LSIATMA1
Description	MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 25 V 33 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 74W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-7
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSC014NE2LSIATMA1 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	25 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	33 A (Ta), 100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,4mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2700 pF @ 12 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta), 74W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TDSON-8-7
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	BSC014

Prix unitaire sans TVA:	1,52000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,82400 €

BSC014NE2LSIATMA1