Name: G65P06D5
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G65P06D5TR-ND
Price: 1.896 EUR
Availability: OutOfStock

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G65P06D5
Numéro de produit DigiKey	3141-G65P06D5TR-ND - Bande et bobine 3141-G65P06D5CT-ND - Bande coupée (CT) 3141-G65P06D5DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Goford Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	G65P06D5
Description	P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 65 A (Tc) 104W (Tc) Montage en surface 8-DFN (4,9x5,75)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 18mohms à 20A, 10V
Fabricant Goford Semiconductor	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 75 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6138 pF @ 25 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 104W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 65 A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-DFN (4,9x5,75)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier 8-PowerTDFN