Name: DMTH10H4M5LPSWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H4M5LPSWQ-13TR-ND
Price: 3 EUR
Availability: InStock

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DMTH10H4M5LPSWQ-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMTH10H4M5LPSWQ-13TR-ND - Bande et bobine 31-DMTH10H4M5LPSWQ-13CT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMTH10H4M5LPSWQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMTH10H4M5LPSWQ-13
Description	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 20A (Ta), 107A (Tc) 4,7W (Ta), 136W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles PowerDI5060-8 (Type UX)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	20A (Ta), 107A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,9mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4843 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	4,7W (Ta), 136W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface, joints de brasure visibles
Boîtier fournisseur	PowerDI5060-8 (Type UX)
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	DMTH10