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DMTH10H4M5LPSWQ-13
Diodes Incorporated
En stock: 0
Prix unitaire : 29,00000 €
Fiche technique
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Canal N 100 V 20A (Ta), 107A (Tc) 4,7W (Ta), 136W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles PowerDI5060-8 (Type UX)
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DMTH10H4M5LPSW-13

Numéro de produit DigiKey
31-DMTH10H4M5LPSW-13TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant
DMTH10H4M5LPSW-13
Description
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
40 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 20A (Ta), 107A (Tc) 4,7W (Ta), 136W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles PowerDI5060-8 (Type UX)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diodes Incorporated
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
20A (Ta), 107A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
4,9mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
4843 pF @ 50 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
4,7W (Ta), 136W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface, joints de brasure visibles
Boîtier fournisseur
PowerDI5060-8 (Type UX)
Boîtier
8-PowerTDFN
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 5000,69416 €1 735,40 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,69416 €
Prix unitaire avec TVA:0,83299 €