Name: DMTH10H015LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H015LPS-13TR-ND
Price: 2.004 EUR
Availability: InStock

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DMTH10H015LPS-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMTH10H015LPS-13TR-ND - Bande et bobine 31-DMTH10H015LPS-13CT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMTH10H015LPS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMTH10H015LPS-13
Description	MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 7,3 A (Ta), 44 A (Tc) 1,3W (Ta), 46W (Tc) Montage en surface PowerDI5060-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 33.3 nC @ 10 V
Fabricant Diodes Incorporated	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1871 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1,3W (Ta), 46W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7,3 A (Ta), 44 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur PowerDI5060-8
Rds On (max.) à Id, Vgs 16mohms à 20A, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA	Numéro de produit de base DMTH10

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Ressources supplémentaires

Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FDMS3662	onsemi	9 447	FDMS3662CT-ND	3,54000 €	Similaire
FDMS86320	onsemi	18 646	FDMS86320CT-ND	2,27000 €	Similaire

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