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Product Highlights
Power Semiconductor - Silicon Carbide (SiC)
Date de publication : 2019-06-10
Silicon Carbide (SiC) devices have the potential to revolutionize today’s power electronics; featuring fast switching times, high blocking voltage capabilities & the ability to operate at high temperatures.
The MCC SICWT40120G6M SiC Schottky diode is optimized for demanding power systems requiring reliable operation under extreme conditions.
SiC Schottky Rectifier
Date de publication : 2015-08-28
GeneSiC is offering and continuously improving innovative Silicon Carbide power rectifiers for high voltage rating applications, with significant advantages.
Power Solutions
Date de publication : 2020-02-28
ROHM offers many solutions in a variety of industries for all of your power needs; ranging from current detection resistors, 1200V IGBTs, gate drivers and more.
Solutions d'onduleurs solaires
Date de publication : 2024-06-03
Le portefeuille d'onduleurs solaires d'onsemi est conçu pour permettre aux énergies renouvelables de créer des solutions électriques efficaces et à faibles émissions de carbone. Visitez le site de DigiKey pour en savoir plus !
Automotive SiC Schottky Barrier Diodes
Date de publication : 2024-10-31
ROHM Semiconductor SiC Schottky barrier diodes are designed to meet the demanding requirements of modern automotive applications.
Automotive Solutions
Date de publication : 2019-07-03
ROHM Semiconductor’s high-performance ICs and power devices are essential in the automotive industry's move towards electronification.
Diodes Schottky discrètes en carbure de silicium
Date de mise à jour : 2025-12-08
Diodes Schottky discrètes en carbure de silicium de SemiQ.
Diodes de module de puissance Schottky en carbure de silicium
Date de mise à jour : 2025-12-08
SemiQ présente des diodes de module de puissance Schottky en carbure de silicium.
Diodes Schottky de puissance en carbure de silicium
Date de publication : 2013-02-06
Tenue supérieure aux pointes de courant, coefficient de température positif de Vf, facteur de mérite Qc/If supérieur et bien plus encore.
Transistor en carbure de silicium
Date de publication : 2013-02-05
Les transistors en carbure de silicium permettent de faibles pertes de commutation, un rendement supérieur, un fonctionnement haute température et des capacités élevées de résistance aux courts-circuits.
Diode Schottky en carbure de silicium
Date de mise à jour : 2019-02-19
Les diodes Schottky en carbure de silicium présentent une tenue supérieure aux pointes de courant et un coefficient de température positif de Vf.
TRCDrive Pack™ en boîtiers DOT247/HSDIP20
Date de mise à jour : 2026-03-10
Les modules de puissance SiC hautes performances en boîtiers HSDIP20 et DOT-247 série TRCDrive Pack™ de ROHM sont conçus pour les applications automobiles et industrielles.
Explore Vishay alternative energy and power transmission solutions at DigiKey, including high-performance capacitors, resistors, diodes, MOSFETs, and power management components designed for solar, wind, EV, and industrial applications.
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