GeneSiC Semiconductor

Transistor en carbure de silicium

Transistor Super Junction en carbure de silicium de GeneSiC Semiconductor

Image du transistor en carbure de silicium de GeneSiC SemiconductorGeneSiC Semiconductor présente les transistors Super Junction (SJT) en carbure de silicium normalement fermés. Ces produits permettent de faibles pertes de commutation, un rendement supérieur, un fonctionnement haute température et des capacités élevées de résistance aux courts-circuits. À 1700 V, les options incluent 4 A à une résistance RDS(on) de 500 mΩ, ou 8 A à une résistance RDS(on) de 250 mΩ. Ces produits sont conformes à ROHS et sont disponibles dans un boîtier TO-247AB.

Fonctionnalités
  • Température de fonctionnement maximale de 170°C
  • Performances de commutation indépendantes de la température
  • Commutateur SiC sans oxyde de grille
  • Adapté à la connexion de diode antiparallèle
  • Coefficient de température positif pour mise en parallèle aisée
  • Faible charge de grille
  • Faible capacité intrinsèque
Applications
  • Aérospatiale et défense
  • Forage pétrolier, instrumentation géothermique
  • Véhicules hybrides
  • Onduleurs solaires
  • Alimentations à découpage (SMPS)
  • Correction du facteur de puissance (PFC)
  • Chauffage par induction
  • Alimentations secourues (UPS)
  • Commandes moteur

Silicon Carbide Transistor

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrix
TRANS SJT 1700V 4A TO247ABGA04JT17-247TRANS SJT 1700V 4A TO247AB0 - Immédiatement$17.00Afficher les détails
TRANS SJT 1700V 8A TO247ABGA08JT17-247TRANS SJT 1700V 8A TO247AB0 - Immédiatement$39.43Afficher les détails
Date de publication : 2013-02-05