Onduleur solaire

Dans les applications haute puissance, les IGBT restent le choix préféré car ils offrent des performances exceptionnelles face à des courants et tensions élevés. Le principal inconvénient des IGBT est leur vitesse de commutation plus faible, ce qui n'est pas aussi important pour les onduleurs solaires. onsemi propose à la fois des IGBT discrets et des solutions de modules plus intégrées. Field Stop7 est la nouvelle gamme d'IGBT 1200 V, optimisée pour de faibles pertes par conduction.

Les dispositifs en carbure de silicium sont plus utiles pour les tensions plus élevées que les MOSFET au silicium traditionnels, car ils réduisent les pertes par conduction. Les solutions d'onduleurs SiC présentent des pertes inférieures aux solutions IGBT. Les MOSFET SiC peuvent être commutés plus rapidement, ce qui contribue à réduire la taille des dispositifs passifs, en particulier des inductances. D’un autre côté, les systèmes SiC complets nécessitent une conception de système entièrement nouvelle, ce qui augmente encore les coûts. La nouvelle gamme de MOSFET SiC 1200 V (M3S) est optimisée pour un fonctionnement haute température, et présente une très faible valeur R_DS(ON) de seulement 22 mΩ, en cas d'alimentation 18 V.

onsemi propose des modules IGBT ou SiC avec différentes topologies, y compris le demi-pont, ou même l'A-NPC complet à trois niveaux dans un seul boîtier. L'utilisation de modules de puissance apporte de nombreux avantages, notamment des propriétés thermiques améliorées, une réduction de la taille du système et une mise sur le marché plus rapide. Ces modules peuvent être utilisés à des puissances comprises entre des dizaines et des centaines de kilowatts.