MOSFET au carbure de silicium de 3e génération de 650 V et 1200 V

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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

            MOSFET au carbure de silicium de 3<sup>e </sup>génération de 650 V et 1200 V
                    La technologie SiC de Toshiba est conçue pour les applications d'alimentation à haut rendement
    

Image des MOSFET au carbure de silicium de 3e génération de 650 V et 1200 V de Toshiba Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) de 650 V et 1200 V de 3^e génération de Toshiba sont conçus pour les applications industrielles de forte puissance, telles que les alimentations CA/CC d'entrée de 400 V et 800 V_CA, les onduleurs photovoltaïques (PV) et les convertisseurs CC/CC bidirectionnels pour alimentations secourues.

Ces MOSFET contribuent à réduire la consommation d'énergie et à améliorer la densité de puissance, grâce à la technologie SiC qui permet aux dispositifs de fournir une résistance à la tension plus élevée, une commutation plus rapide et une résistance à l'état passant plus faible. La conception de la puce de troisième génération de Toshiba confère une fiabilité accrue. Les produits de 650 V se caractérisent par une capacité d'entrée (C_ISS) de 4850 pF (typ.), une faible charge d'entrée de grille (Q_g) de 128 nC (typ.) et une résistance à l'état passant drain-source (R_DS(ON)) de seulement 15 mΩ (typ.).

En outre, les produits de 1200 V offrent une capacité d'entrée (C_ISS) tout aussi faible de 6000 pF (typ.), une charge d'entrée de grille (Q_g) de 158 nC (typ.) et une résistance à l'état passant drain-source (R_DS(ON)) de 15 mΩ (typ.).

Les MOSFET SiC de 650 V et 1200 V sont proposés dans le boîtier TO-247 à trois broches aux normes de l'industrie, en plus des boîtiers DFN8x8 et TOLL à montage en surface.

Fonctionnalités

Faibles valeurs R_ON, R_ONQgd

Le produit R_ON*Qgd est réduit de 80 % entre la 2^e et la 3^e génération de Toshiba
Performances de commutation et valeurs R_ON*Q_gd compétitives

Faible tension directe VF

Technologie de diode Schottky intégrée pour offrir une tension directe VF ultrafaible
Haute fiabilité grâce à une conception actualisée de la cellule

Connexion Kelvin-source dans les boîtiers TO-247-4L, TOLL et DFN8x8

Les valeurs V_GSS élevées permettent d'améliorer la fiabilité et de faciliter la conception
V_GSS : -10 V à 25 V (recommandé : 18 V)
Une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil de grille plus élevée (V_th) permettent d'éviter les dysfonctionnements tels que les mises sous tension accidentelles
Options de boîtiers à montage en surface et traversant

Boîtiers à montage traversant TO-247 (3 broches) et TO-247-4L (4 broches)
TOLL et DFN8x8

Applications

Entraînements de moteurs industriels
Chargeurs de batterie
Convertisseurs CA/CC et CC/CC
Circuit de correction du facteur de puissance

Systèmes de stockage d'énergie
Énergie solaire
Alimentations secourues

650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs

Référence fabricant	Description	Quantité disponible	Prix	Afficher les détails
TW045N120C,S1F	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO	1 - Immédiatement	$26.49	Afficher les détails
TW015N120C,S1F	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO	48 - Immédiatement	$72.55	Afficher les détails
TW140Z120C,S1F	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 14	65 - Immédiatement	$12.00	Afficher les détails
TW083N65C,S1F	G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH	0 - Immédiatement	$15.26	Afficher les détails
TW027Z65C,S1F	G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 27	0 - Immédiatement	$24.13	Afficher les détails
TW030Z120C,S1F	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 3	70 - Immédiatement	$33.33	Afficher les détails
TW015Z65C,S1F	G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 15	32 - Immédiatement	$51.96	Afficher les détails
TW015N65C,S1F	G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH	24 - Immédiatement	$55.87	Afficher les détails
TW015Z120C,S1F	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1	0 - Immédiatement	$67.02	Afficher les détails
TW107Z65C,S1F	G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 10	5 - Immédiatement	$10.66	Afficher les détails
TW107N65C,S1F	G3 650V SIC-MOSFET TO-247 107MO	0 - Immédiatement	$11.13	Afficher les détails
TW083Z65C,S1F	G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 83	28 - Immédiatement	$14.44	Afficher les détails
TW048N65C,S1F	G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH	0 - Immédiatement	$18.46	Afficher les détails
TW060Z120C,S1F	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 6	5 - Immédiatement	$20.39	Afficher les détails
TW060N120C,S1F	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 60MO	39 - Immédiatement	$21.53	Afficher les détails
TW045Z120C,S1F	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 4	51 - Immédiatement	$24.77	Afficher les détails
TW027N65C,S1F	G3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOH	4 - Immédiatement	$25.59	Afficher les détails
TW030N120C,S1F	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MO	40 - Immédiatement	$35.71	Afficher les détails
TW140N120C,S1F	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M	0 - Immédiatement	$12.65	Afficher les détails
TW048Z65C,S1F	G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 48	211 - Immédiatement	$17.28	Afficher les détails

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Date de publication : 2022-07-26

Date de mise à jour : 2025-08-06

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