TK125N60Z1,S1F
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TK125N60Z1,S1F
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW083N65C,S1F

Numéro de produit DigiKey
264-TW083N65CS1F-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
TW083N65C,S1F
Description
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
24 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 30 A (Tc) 111W (Tc) Trou traversant TO-247
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Rds On (max.) à Id, Vgs
113mohms à 15A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 600µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
28 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
873 pF @ 400 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
111W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247
Boîtier
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En stock: 112
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Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
113,96000 €13,96 €
3010,09400 €302,82 €
1209,82158 €1 178,59 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:13,96000 €
Prix unitaire avec TVA:16,75200 €