Canal N 1200 V 100 A (Tc) 431W (Tc) Trou traversant TO-247
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Canal N 1200 V 100 A (Tc) 431W (Tc) Trou traversant TO-247
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW015N120C,S1F

Numéro de produit DigiKey
264-TW015N120CS1F-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
TW015N120C,S1F
Description
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
24 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 100 A (Tc) 431W (Tc) Trou traversant TO-247
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
TW015N120C,S1F Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 11,7mA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
158 nC @ 18 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
+25V, -10V
Statut du composant
Actif
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
6000 pF @ 800 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
431W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
175°C
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
TO-247
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
20mohms à 50A, 18V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 48
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Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
172,55000 €72,55 €
3053,55533 €1 606,66 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:72,55000 €
Prix unitaire avec TVA:87,06000 €