MOSFET SiC STPOWER

Les MOSFET SiC STPOWER de STMicroelectronics apportent le rendement et la fiabilité avancées des matériaux à large bande interdite à une plus vaste gamme d'applications écoénergétiques telles que les onduleurs pour véhicules électriques/hybrides, la production d'énergie solaire ou éolienne, les alimentations et les variateurs haut rendement, ainsi que les équipements de réseau intelligent. Avec une plage de tension étendue de 650 V à 1700 V, ces MOSFET présentent d'excellentes performances de commutation combinées à un faible facteur de mérite comprenant une très faible résistance à l'état passant R_DS(ON) par surface. Les MOSFET SiC de ST permettent de concevoir des systèmes plus efficaces et compacts que jamais. Les MOSFETS SiC 1200 V de ST présentent une température nominale exceptionnelle de +200°C pour une conception thermique améliorée des systèmes d'électronique de puissance. Par rapport aux MOSFET au silicium, les MOSFET SiC présentent également des pertes de commutation considérablement réduites avec une variation minimale en fonction de la température.

Fonctionnalités clés

• Dispositifs qualifiés de qualité automobile (AG)
• Capacité de manipulation à très haute température (max. T_J = +200°C)
• Très faibles pertes de commutation (variation minimale en fonction de la température) permettant de fonctionner à très haute fréquence de commutation
• Faible résistance à l'état passant en fonction de la plage de température
• Commande simple
• Diode de substrat intrinsèque très rapide et robuste éprouvée