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SCTW40N120G2VAG | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 497-SCTW40N120G2VAG-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SCTW40N120G2VAG |
Description | SICFET N-CH 1200V 33A HIP247 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 21 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1200 V 33 A (Tc) 290W (Tc) Trou traversant HiP247™ |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 63 nC @ 18 V |
Fabricant | Vgs (max.) +22V, -10V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1230 pF @ 800 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 290W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 200°C (TJ) |
Technologies | Grade Automobile |
Tension drain-source (Vdss) 1200 V | Qualification AEC-Q101 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Type de montage Trou traversant |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V | Boîtier fournisseur HiP247™ |
Rds On (max.) à Id, Vgs 105mohms à 20A, 18V | Boîtier |
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 1mA | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| DMWS120H100SM4 | Diodes Incorporated | 27 | 31-DMWS120H100SM4-ND | 18,95000 € | Similaire |
| DMWSH120H90SM3 | Diodes Incorporated | 20 | 31-DMWSH120H90SM3-ND | 10,22000 € | Similaire |
| DMWSH120H90SM3Q | Diodes Incorporated | 24 | 31-DMWSH120H90SM3Q-ND | 12,54000 € | Similaire |
| DMWSH120H90SM4Q | Diodes Incorporated | 17 | 31-DMWSH120H90SM4Q-ND | 12,54000 € | Similaire |
| MSC080SMA120B | Microchip Technology | 128 | MSC080SMA120B-ND | 10,88000 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 15,65000 € | 15,65 € |
| 30 | 9,70133 € | 291,04 € |
| 120 | 8,40025 € | 1 008,03 € |
| 510 | 7,91682 € | 4 037,58 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 15,65000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 18,78000 € |




