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MOSFET de puissance SiC
Les MOSFET SiC de ROHM se caractérisent par une faible résistance à l'état passant et une faible perte de commutation
Les MOSFET en carbure de silicium (SiC) de ROHM sont disponibles dans une gamme de courants nominaux et de boîtiers. Ils sont fournis dans une variété de résistances à l'état passant et de tensions nominales (VDSS) de 650 V, 1200 V ou 1700 V. Contrairement aux IGBT, il n'y a pas de courant de queue lors de l'arrêt, ce qui accélère les opérations et réduit les pertes de commutation. De plus, contrairement aux dispositifs au silicium, la résistance à l'état passant reste relativement constante, même à hautes températures, minimisant ainsi les pertes de conduction. Des modèles de type planar de 2e génération avec une durée de tenue aux courts-circuits maximum et des modèles à tranchées de 3e génération avec une capacité d'entrée réduite et une charge de grille inférieure sont proposés. Des puces nues jusqu'à 1700 V sont également disponibles.
- Commutation rapide avec faible perte
- Température de jonction maximum : +175°C
- Dispositifs conditionnés répertoriés à 650 V, 1200 V ou 1700 V
- Résistance à l'état passant de 17 mΩ à 1150 mΩ
- Modèle Spice et modèle thermique disponibles
- Technologie planar de 2e génération avec un temps de résistance aux courts-circuits plus long
- Aucune limitation sur l'utilisation de la diode de substrat
- Technologie à tranchées de 3e génération avec faible capacité d'entrée (CISS) et faible charge de grille (Qg)
- Tension de blocage CC : 650 V, 1200 V, 1700 V
- Pertes de commutation minimales
- Plage de températures de fonctionnement : -40°C à +175°C
- Onduleurs pour chauffage par induction
- Onduleurs de commande moteur
- Convertisseurs bidirectionnels
- Onduleurs solaires
- Alimentations
3rd Generation TO-247-4L Package with Kelvin Source Connection
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | SCT3040KRC14 | SICFET N-CH 1200V 55A TO247-4L | 801 - Immédiatement | $37.22 | Afficher les détails |
| | SCT3080KRC14 | SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L | 130 - Immédiatement | $15.25 | Afficher les détails |
| | SCT3105KRC14 | SICFET N-CH 1200V 24A TO247-4L | 102 - Immédiatement | $18.37 | Afficher les détails |
| | SCT3030ARC14 | SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L | 123 - Immédiatement | $41.26 | Afficher les détails |
| | SCT3060ARC14 | SICFET N-CH 650V 39A TO247-4L | 334 - Immédiatement | $18.54 | Afficher les détails |
| | SCT3080ARC14 | SICFET N-CH 650V 30A TO247-4L | 249 - Immédiatement | $17.34 | Afficher les détails |
SiC Power MOSFETs Single
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|  | SCH2080KEC | SICFET N-CH 1200V 40A TO247 | 0 - Immédiatement | See Page for Pricing | Afficher les détails |
| | SCT2080KEC | SICFET N-CH 1200V 40A TO247 | 0 - Immédiatement | $12.53 | Afficher les détails |
| | SCT2160KEC | SICFET N-CH 1200V 22A TO247 | 0 - Immédiatement | $7.10 | Afficher les détails |
|  | BSM180C12P2E202 | SICFET N-CH 1200V 204A MODULE | 0 - Immédiatement | $524.70 | Afficher les détails |
|  | SCT2750NYTB | SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268 | 0 - Immédiatement | $3.00 | Afficher les détails |
SiC Power MOSFETs Arrays
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|  | BSM080D12P2C008 | MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE | 0 - Immédiatement | $273.42 | Afficher les détails |
| | BSM120D12P2C005 | MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE | 2 - Immédiatement | $315.47 | Afficher les détails |
| | BSM180D12P2C101 | MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE | 1 - Immédiatement | $383.27 | Afficher les détails |
|  | BSM180D12P3C007 | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE | 13 - Immédiatement | $483.16 | Afficher les détails |
France