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Modules d'alimentation en demi-pont Full-SiC
Les modules d'alimentation SiC de ROHM intègrent des MOSFET et des diodes SBD SiC dans un boîtier industriel standard
Les modules d'alimentation en demi-pont Full-SiC de ROHM Semiconductor intègrent des MOSFET et des diodes Schottky (SBD) en carbure de silicium (SiC) dans un boîtier industriel standard. Une structure d'atténuation de champ électrique originale, associée à une nouvelle méthode de filtrage, sert à maintenir la fiabilité et permettre le développement du premier système de production de masse pour des modules d'alimentation entièrement en carbure de silicium.
- Faible inductance parasite
- Caractéristiques de recouvrement haute vitesse
- Faibles pertes de commutation
- Aucun détarage nécessaire par rapport aux IGBT
- Énergies renouvelables/stockage d'énergie
- Chargeurs et onduleurs pour véhicules électriques / véhicules hybrides
- Chauffage/soudage par induction
- CCHT
Full-SiC Half-Bridge Power Modules
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | BSM120D12P2C005 | MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE | 2 - Immédiatement | $340.17 | Afficher les détails |
|  | BSM180D12P3C007 | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE | 13 - Immédiatement | $482.32 | Afficher les détails |
|  | BSM300D12P2E001 | MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE | 16 - Immédiatement | $671.51 | Afficher les détails |
|  | BSM250D17P2E004 | MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULE | 8 - Immédiatement | $919.59 | Afficher les détails |
| | BSM080D12P2C008 | MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE | 61 - Immédiatement | $272.94 | Afficher les détails |
| | BSM180D12P2C101 | MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE | 1 - Immédiatement | $407.21 | Afficher les détails |
|  | BSM180C12P2E202 | SICFET N-CH 1200V 204A MODULE | 0 - Immédiatement | $565.04 | Afficher les détails |
|  | BSM400C12P3G202 | SICFET N-CH 1200V 400A MODULE | 4 - Immédiatement | $723.68 | Afficher les détails |
| | BSM600C12P3G201 | SICFET N-CH 1200V 600A MODULE | 0 - Immédiatement | $1,027.56 | Afficher les détails |
Date de mise à jour : 2019-04-23
Date de publication : 2014-05-09
France