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Mémoire DRAM avec code de correction d'erreurs intégré (ECC)
Date de publication : 2025-03-10
La mémoire DRAM avec code de correction d'erreurs (ECC) intégré d'ISSI simplifie la conception des systèmes, économise de l'énergie et réduit l'empreinte mémoire sur les cartes.
Les dispositifs Flash NAND série d'ISSI offrent des solutions compatibles SPI à haute densité avec prise en charge de configurations x1, x2 et x4, ce qui est idéal pour les applications industrielles et automobiles.
ISSI's brochure for their low pin count RAM solutions.
Serial RAM and Quad RAM Solutions
Date de publication : 2024-04-04
ISSI's serial RAM and quad RAM offer low pin count RAM solutions that are ideal for medical and wearable applications.
ISSI's brochure for their serial and quad RAM products.
Today, ISSI offers 3.3V SDRAM, DDR, DDR2, DDR3, as well as Low Power SDRAM, LPDDR and LPDDR2 DRAM.
ISSI's automotive memory solutions.
DRAM héritée avec DDR3
Date de publication : 2023-10-12
Les options de mémoire DRAM DDR3 d'ISSI sont disponibles dans des densités allant de 1 Go à 16 Go avec une prise en charge à long terme.
ISSI eMMC NAND Flash Memory offers unparalleled performance and endurance, including an enhanced mode that allows configuration as a pseudo-SLC.
Solutions de mémoire octale
Date de publication : 2023-04-13
Les dispositifs octaux RAM et Flash conformes au bus xSPI d'ISSI sont destinés aux applications hautes performances à démarrage instantané.
Mémoire flash NAND eMMC
Date de publication : 2023-03-15
Les mémoires flash NAND eMMC d'ISSI prennent en charge un mode amélioré dans lequel le dispositif peut être configuré en pseudo-SLC (pSLC) pour des performances de lecture/écriture plus élevées.
ISSI introduces its new Family of IS25LP and IS25WP/WJ series of flash devices. The family builds upon the success of ISSI’s IS25LQ and IS25WQ family by introducing leading edge features such as double data rate* interface modes, SFDP support, and the popular 2 cycle instruction input.
The ISSI LPDDR4 and LPDDR4X are low-voltage memory devices available in 2, 4, and 8 gigabit densities. The devices are organized as one or two channels per device where each channel is eight banks and 16-bits.
Les concepteurs peuvent rapidement mettre en œuvre une solution de détection de présence à l'aide d'un kit prêt à l'emploi, basé sur un algorithme propriétaire fonctionnant sur un processeur de signaux numériques à basse consommation.
Un processeur spécialisé et une bibliothèque logicielle offrent une alternative plus simple et plus sûre pour l'authentification basée sur le visage.
Mémoire SDRAM mobile LPDDR4/4X
Date de publication : 2020-08-14
La mémoire SDRAM mobile LPDDR4/4X d'ISSI utilise une architecture à double débit de données pour un fonctionnement haute vitesse et est disponible en densités de 2 Go, 4 Go et 8 Go.
Utilisez RISC-V pour personnaliser le jeu d'instructions et le matériel afin d'obtenir un profil énergétique optimal pour un système embarqué.
Découvrez les principes de base de la mémoire embarquée (EEPROM, FRAM, eMMC ou cartes SD) pour savoir laquelle utiliser, dans quelle application et comment l'implémenter.
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