Mémoire SDRAM mobile LPDDR4/4X
La mémoire LPDDR4/4X d'ISSI utilise une architecture à double débit de données pour un fonctionnement à haute vitesse
Les modules LPDDR4 and LPDDR4X d'ISSI sont des dispositifs de mémoire basse tension, disponibles en densités de 2 Go, 4 Go et 8 Go. Ils sont organisés en 1/2 canaux par dispositif et chaque canal comprend huit bancs et 16 bits. Les modules LPDDR4 et LPDDR4X utilisent une architecture à double débit de données pour obtenir un fonctionnement à grande vitesse. L'architecture à double débit de données est essentiellement une architecture de prélecture 16N, avec une interface conçue pour transférer deux mots de données par cycle d'horloge aux broches E/S.
Les modules LPDDR4 et LPDDR4X offrent des opérations entièrement synchrones référencées à la fois aux fronts de montée et de descente de l'horloge. Les chemins de données sont à chevauchement en interne et à prélecture 16n bits pour atteindre une bande passante très élevée. Les LPDDR4 et LPDDR4X présentent tous deux des latences de lecture et d'écriture programmables dans des longueurs de rafales programmables et à la volée. Les cœurs basse tension et les E/S de ces dispositifs les rendent idéaux pour les applications mobiles.
- Basse tension
- LPDDR4 : 1,8 V
- LPDDR4X : 1,1 V
- E/S basse tension
- LPDDR4 : 1,1 V
- LPDDR4X : 0,6 V
- Plage de fréquences de 10 MHz à 1600 MHz
- 20 Mbps à 3200 Mbps par débit de données d'E/ S
- Architecture DDR à prélecture 16N
- Huit bancs internes par canal pour un fonctionnement simultané
- Entrées de commande/d'adressage, débit de données double, multiplexé
- Fonctions mobiles pour une consommation d'énergie réduite
- Longueur de rafale programmable et à la volée (BL = 16 ou 32)
- Latences de lecture et d'écriture programmables
- Capteur de température intégré pour un contrôle efficace de l'auto-rafraîchissement
- Étalonnage ZQ
- Force d'entraînement réglable
- PASR (Partial Array Self-Refresh)
- Boîtier BGA-200 de 10 mm x 14,5 mm
- Fréquence d'horloge : 1,6 GHz
- Format de mémoire : DRAM
- Interface mémoire : parallèle
- Type de mémoire : volatile
- Type de montage : en surface
- Température de fonctionnement : -40°C à 95°C (TC)
- Boîtier/logement : 200-TFBGA à 200-WFBGA
- Technologie : SDRAM mobile LPDDR4
- Tension d'alimentation : 1,06 V à 1,17 V, 1,7 V à 1,95 V
- Systèmes informatiques portables
- Tablettes
LPDDR4/4X Mobile SDRAM
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | IS43LQ16256A-062BLI | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 200VFBGA | 0 - Immédiatement | See Page for Pricing | Afficher les détails |
![]() | ![]() | IS43LQ32128A-062BLI | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 200VFBGA | 0 - Immédiatement | See Page for Pricing | Afficher les détails |
![]() | ![]() | IS43LQ32256A-062BLI | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 200TFBGA | 134 - Immédiatement | $21.27 | Afficher les détails |





